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当前位置：安森美半导体推出用于太阳能，不间断电源的功率模块
安森美半导体推出两款新的功率集成模块，将在2018年的electronica上进行演示，同时还将推出用于电动汽车充电的智能电源模块。
针对太阳能逆变器，UPS逆变器级和工业变频器等应用，安森美半导体的NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q2F2SG功率集成模块（PIM）将于11月13日在慕尼黑的electronica 2018上推出。
这些器件旨在减轻设计人员使用分立式IGBT或MOSFET的需求。目标是缩短产品上市时间，提高可靠性，降低成本并大幅节省电路板空间。
这两个模块都是一个增长系列的模块类型，目前采用Q0，Q1和Q2封装。
Q0，Q1和Q2PACK模块。安森美半导体的截图
NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q2F2SG器件分别采用Q1PACK和Q2PACK，针对30 kW至50 kW范围内的逆变器。
它们采用场截止沟道IGBT和快速恢复二极管，从而降低了导通和开关损耗。设计人员可以根据情况需要在低V CE（SAT）和低E ON / E OFF损耗之间进行权衡。通过单元的直接键合铜基板，可以实现高电流操作，并且寄生电感的影响最小，从而实现高开关速度。隔离度为3000 V RMS，爬电距离为12.7 mm。
两款器件均采用分体T型中性点钳位三电平逆变器，由两个半桥160A / 1200V IGBT和反向二极管构成，两者均包含负温度系数热敏电阻。每个器件还包括第二组两个中性点IGBT。
（轻微）差异在细节中
NXH160T120L2Q1SG
1200V IGBT规格：
-
VCE（SAT）= 2.1V @ 160A
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开关能量损耗（ESW）= 6.3mJ @ 100A
650V / 100A IGBT规格：
-
VCE（SAT）= 1.65V @ 150A
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开关能量损耗ESW = 3.8mJ @ 100A
该设备还包括：
-
两个中性点100A / 1200V整流器
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两个半桥100A / 650V整流器
NXH160T120L2Q1SG也可作为NXH160T120L2Q1PG使用，不同之处在于前者使用焊针而后者采用压配销。
NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q1PG封装。安森美半导体的图像（修改）
有关 完整规格，请参见NXH160T120L2Q1SG产品概述。
NXH160T120L2Q2F2SG
1200V IGBT规格：
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VCE（SAT）= 2.15V
-
开关能量损耗（ESW）= 4.3mJ
600V / 100A IGBT规格：
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VCE（SAT）= 1.47V
-
开关能量损耗ESW = 2.56mJ
该设备还包括：
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两个中性点120A / 1200V整流器
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两个半桥60A / 600V整流器
安森美半导体的Q2PACK模块（已修改）的屏幕截图
有关 完整规格，请参见NXH160T120L2Q2F2SG产品概述。
许多不同的方法来接近权力
虽然在这种情况下，安森美半导体不再需要设计人员使用分立式IGBT，但该公司还向希望“单独行动”的设计人员销售这些部件。而且，由于有许多产品类别都有其独特的电源规格和需求，因此没有一个电源模块可以满足每种需求。
因此，多个供应商有足够的空间来满足“电力生态学”的每个细分市场。安森美半导体甚至为其他电源模块制造商提供这样的分立，例如将AC推进器整合到他们自己的设备中，这些设备用于电动汽车。
实际上，安森美半导体通过其FAM65xxx系列智能功率模块解决了电动汽车和插电式混合动力车的其他电力领域。
电动汽车充电的小尺寸，轻量级
车载电动汽车充电是“电力生态”中的另一个热点。因此，安森美半导体还将在electronica上推出FAM65xxx系列智能功率模块。
一个器件概述涵盖H桥，PFC和桥式整流器配置，以满足每个板载充电和DC-DC级的应用。除了节省电路板空间外，该系列的成员还将致力于增加远远低于单个分立元件的整体重量。
FAM65xxx。安森美半导体的图片
安森美半导体还表示，与分立元件相比，其板载充电电源模块可节省50％的电路板空间。
由于内部直接键合铜结构减少了在设计分立器件时经常需要的绝缘片的需求，因此EMI一直是车辆中的关键问题。
AM65xxx的成员符合AECQ 101和AQG324汽车标准。
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