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Navigate：日媒：NAND存储芯片厂商掀起减产浪潮
据日经中文网报道，NAND型存储芯片的行情恶化趋于长期化，各制造商将进一步减产。日本的铠侠决定推迟新工厂的投产时间；韩国三星电子、SK海力士预计也将进一步提高减产幅度。由于智能手机等数码产品的需求未恢复，供应过剩难消除。有研究机构称，面对这一严峻的市场情况，行业重组的可能性正在加强。
由于长期NAND的需求仍未恢复，铠侠已将日本岩手县北上市建设的生产厂房的投产时间，从原定的2023年内延期至2024年以后。此外，厂房设备交付也被推迟。
铠侠该厂房投资规模约为1万亿日元，建筑面积约为3万平方米，建成后将成为全球领先的半导体存储芯片生产基地。该工厂于2022年3月宣布动工时，新冠疫情推动的需求仍然存在，当时半导体短缺成为全世界问题，各企业都加快了产能增强。然而2022年下半年起，由于全球经济衰退等因素影响，半导体行业走入下滑。铠侠于2022年10月将投入生产线的晶圆量减少了30%。公司高管表示：“过去从未经历如此严重的存储芯片不景气状况。”
供应过剩问题难以解决，NAND原厂不得不启动减产。三星于7月末举行发布会，表示2023年下半年将继续减产。SK海力士首席财务官在7月底的发布会上也表示，“NAND的库存水平很高，将进一步减产5%～10%”。美光科技的副总裁马尼什·巴蒂亚也表示：“将使晶圆投入数量的削减幅度接近30%”，明确了进一步减产的方针。
NAND存储芯片的低迷表现还波及制造设备。7月，日本半导体制造装置协会大幅下调了2023年度的日本制造设备营收预期。提出的理由是“面向半导体存储器的（设备）需求低于年初的预期”。预计近期AI人工智能热潮持续，该领域的DRAM需求将增至8倍，而NAND将增至3倍。
一名日本分析师石野雅彦表示，DRAM市场已经触底，NAND需求或许也会迎头赶上。另外，业界认为需要推进行业重组的看法也在增强。西部数据、铠侠等企业自2022年10~12月出现营业亏损以来，还看不到前景好转。研究机构Omdia分析师南川明表示：“迫切需要提升经营效率，例如与能制造DRAM的厂商展开合作等”。
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目前应用范围最广的存储器主要包括四大类：DRAM，NAND Flash，NOR Flash和EEPROM。按照市场规模划分，可归纳为“两大两小”，其中，“两大”是DRAM和NAND Flash，“两小”是NOR Flash和EEPROM。
DRAM
DRAM结构简单、存储容量大，广泛应用于计算机内存，是市场规模最大的存储芯片。SDRAM是同步DRAM，能够与CPU系统时钟同步，是DRAM的主流。目前，DDR4 SDRAM占据了主流市场，相比DDR3，DDR4能将性能和带宽提升50%，同时降低功耗。DDR5也在市场拓展过程当中，其最高内存传输速率可达6.4Gbps，比DDR4性能更强、功耗更低，具有很好的发展潜力。此外，LPDDR以低功耗为特色，在智能手机等移动终端上广泛应用。
DRAM 广泛应用于手机、服务器、PC等领域，其中，手机和服务器是主要推动力。随着消费者对更高画质、音质、芯片算力要求的提升，手机对DRAM的存储容量需求不断提升。
NAND Flash
NAND Flash适用于大容量数据的存储（通常为1Gb-1Tb），且能够实现快速读写和擦除。NAND Flash在大容量下具有成本优势，是大容量非易失存储的主流技术方案，广泛应用于通信设备、消费电子、汽车电子等领域。
工艺方面，传统NAND Flash是2D结构的，近些年，3D结构兴起，且大量蚕食2D NAND市场，3D NAND通过多层垂直堆叠技术，既能够提高单位面积存储密度，又能改善存储单元性能，且成本可控。
与DRAM类似，智能手机和PC是NAND Flash的主要应用市场，数据中心和汽车电子需求在不断提升。
全球NAND Flash市场由三星电子、铠侠、西部数据、美光、SK海力士主导，其中，三星市占率最高，达到34%。
NOR Flash
NOR Flash是一类通用型非易失性存储芯片，具有读取速度快、随机存储和芯片内执行等特点，NOR Flash允许CPU直接从存储单元中读取代码执行（XIP），即应用程序可直接在Flash内运行，而不必再读到系统 RAM 中。NOR Flash的写入和擦除速度较慢，不适宜作为大容量存储器，仅在小容量应用场景具有成本效益，如用于存储开机软件程序。目前，NOR Flash的主流制程工艺为55nm，各厂商正在向40nm及更先进节点推进。
EEPROM
EEPROM全称为Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，是一种小容量、可反复擦写的非易失性存储芯片。EEPROM在断电情况下仍能保留所存储的数据，可以在计算机或专用设备上擦除已有信息重新编程。
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