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Navigate：国产光刻机工厂落地雄安？光刻机为什么那么难？
近期，各大视频平台疯传一条消息称清华大学EUV项目把ASML的光刻机巨大化，实现了光刻机国产化，并表示这个项目已经在雄安新区落地。还在视频中配了这样一张图，表示图片中的项目就是光刻厂。对此，微信公众号“中国电子院”9月18日发布信息辟谣称，该项目并非网传的国产光刻机工厂，而是北京高能同步辐射光源项目（HEPS）。
网络上流传的图片本文图片均转自微信公众号“中国电子院”（下同）
中国电子院介绍道，HEPS坐落于北京怀柔雁栖湖畔，是国家“十三五”重大科技基础设施。它是我国第一台高能量同步辐射光源，也是世界上亮度最高的第四代同步辐射光源之一，早在2019年就开始建设，将于2025年底投入使用。
北京高能同步辐射光源项目实拍图
HEPS的作用是通过加速器将电子束加速到6GeV，然后注入周长1360米的储存环，用接近光速的速度保持运转。
电子束在储存环的不同位置通过弯转磁铁或者各种插入件时，就会沿着偏转轨道切线的方向释放出稳定、高能量、高亮度的光，也就是同步辐射光。
简单的说，HEPS可以看成是一个超精密、超高速、具有强大穿透力的巨型X光机。它产生的小光束可以穿透物质、深入内部进行立体扫描，从分子、原子的尺度多维度地观察微观世界。因此HEPS是进行科学实验的大科学装置，并不是网传的光刻机工厂。
该项目由全国勘察设计大师、国投集团首席科学家娄宇带队，中国电子院多个技术科研和设计团队协同合作。
从项目可研立项到项目落地，中国电子院攻克了多项技术和工艺难关，解决了项目不均匀沉降、微振动控制、超长结构设计、光伏板设计、精密温度控制、工艺循环冷却水系统、超复杂工艺系统等七大技术难题，实现了重大技术突破，指标控制达到了国际先进水平。
光刻机为什么那么难？
光刻机历经五代发展，从接触式光刻机、接近式光刻机、扫描投影式光刻机、再到步进式扫描投影光刻机以及最先进的EUV光刻机。
EUV光刻机采用波长为13.5nm的激光等离子体光源作为光刻曝光光源。使其波长达到193nm的1/14，几乎逼近物理学、材料学以及精密制造的极限，是制造7nm以下芯片必备的关键设备。
ASML是全球唯一一家能够制造出EUV光刻机的公司。数据显示，到2022年底为止，ASML总共出货182台EUV光刻机，仅卖给了5个芯片制造客户，分别是英特尔、三星、台积电、美光和SK海力士。
以ASML公司制造的EUV光刻机来说，这个光刻机中有10万多个零件，其中90%的关键设备都来自其他国家，该公司只负责整机设计和各模块集成。所以，制造光刻机仅有核心技术是不够的，很多零件依靠进口，想在这种情况下，独立完成光刻机制造，极其艰难。
而EUV光刻机作为我国集成电路产业先进制程再进一步的重要设备，在美方政府多项芯片禁令限制下，阻断了日本、荷兰等国企业向中国出售该设备的路径。尤其是第五代光刻机13.5nm波长的EUV，中国想通过进口获得几乎不可能。
因此，攻克高端光刻机成为全民殷切希望，但造光刻机毕竟不是摊煎饼，支起炉子、架起锅就能开工了，即便是SSMB有成为EUV光源的可能性，但也只是“可能”。什么时候能实现？没人能说清。而即便有了EUV光源，其他零部件能否完全自研，还要打个问号。
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