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SS119 单极霍尔效应传感器IC 线性位置检测

Update:2014-10-15 Views:6074
 

SS119是一个采用双极晶体管技术制造的单极霍尔效应传感器IC

该器件集成了电压调节器、反向电池保护二极管、带动态偏移消除系统的霍尔传感器、温度补偿电路、小信号放大器、施密特触发器和一个输出灌电流达25mA的集电极开漏输出驱动器。 配合以适当的上拉输出电路,它即可与双极型晶体管电路或CMOS逻辑电路器件协同工作。

 

优点及特性:

  • 4.5V24V的工作电压范围
  • -40°C150°C的极大的工作温度范围
  • 双极晶体管工艺
  • 集电极开漏25mA输出
  • 反向电池保护
  • 小尺寸SOT23 3L或者SIP 3L封装
  • 高固态可靠性
  • 抗物理应力

 

应用实例:汽车、消费类电子及工业级应用;固态开关;无刷直流电机;速度检测;线性位置检测;角度检测;近感探测;电流检测

 

电特性TA =25℃,VDD=4.5V24V

参数

符号

测试条件

最小

典型

最大

单位

电源电压

VDD

Operating

4.5

 

24

V

电源电流

IDD

B < BRP

4

5

7

mA

输出饱和电压

VDSon

IOUT = 20mA, B > BOP

 

0.3

0.5

V

输出漏电流

IOFF

B < BRP VOUT = 24V

 

0.1

10

μA

输出上升时间

tr

RL = 1kΩ, CL = 20pF

 

0.04

2.0

μs

输出下降时间

tf

RL = 1kΩ, CL = 20pF

 

0.18

2.0

μs

 

磁性产品规格

包装

参数

符号

测试条件

最小

典型

最大

单位

UA

工作点

BOP

Ta=25°C,Vdd=12V DC

150

170

190

G

释放点

BRP

100

125

160

G

迟滞

BHYST

 

45

 

G

SO

工作点

BOP

Ta=25°C,Vdd=12V DC

-190

-170

-150

G

释放点

BRP

-160

-125

-100

G

迟滞

BHYST

 

45

 

G

 

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