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日立能源推出应用于IGBT的300毫米晶圆 加速半导体技术发展

发布时间:2024-03-25 浏览:351次

日前,日立能源成功推出300毫米(mm)晶圆,在功率半导体领域实现了重要的技术突破。


这一创新成果提升了芯片的生产能力,并实现结构更加复杂的1200V IGBT,该半导体器件能够帮助大功率应用快速切换电源。IGBT的应用包括变频器(VFD)、不间断供电(UPS)系统、电动汽车、火车和空调等多个领域。

与现有的200mm晶圆相比,更大的晶圆具备显著的优势,例如每块300mm晶圆的集成电路数量可增加一倍以上(2.4倍),从而大幅降低成本。该产品还采用了最新一代的精密沟槽型IGBT设计,实现了高效的功率转换和控制,同时更大限度地减少操作过程中的功率损耗。

开发300mm晶圆对于加速能源转型至关重要,能够有效促进可再生能源和工业领域对资源的高效利用。

日立能源半导体业务负责人Rainer Kaesmaier博士表示,300mm晶圆的顺利和快速推出不仅加速了日立能源半导体技术的进步,更有助于提升客户的竞争力和业务能力。“未来,我们计划进一步扩展300mm晶圆平台,为更高电压等级的IGBT器件提供有力支持。”


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