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英特尔完成首套High-NA EUV组装,2027年用于生产intel 14A制程

发布时间:2024-04-21 浏览:374次

英特尔芯片代工完成先进半导体制造迈出重大里程碑,其位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔研发基地,英特尔研发人员已完成业界首台商用高数值孔径极紫外光微影设备(High NA EUV)组装。


英特尔表示,此套由微影技术大厂ASML供应的TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV微影设备,将开始进行多项校准步骤,预计于2027年激活、率先用于Intel 14A制程,协助英特尔推进未来制程蓝图。此设备将投复印刷成像到芯片的光学设计进行改造,明显提升下时代处理器的图像分辨率和尺寸缩放。

英特尔指出,High NA EUV微影设备在先进芯片开发和下时代处理器生产中扮演关键角色。英特尔芯片代工领先业界布局的High NA EUV微影设备,将为芯片制造带来前所未有的精准度和可扩展性,协助英特尔开发创新功能完善的芯片,加速推动AI和其他新兴技术的发展。

而ASML日前也宣布,位于荷兰费尔德霍芬总部的高数值孔径实验室首次打印出10纳米的高密度线路,创下EUV微影设备分辨率的世界记录,成为EUV微影设备迄今为止打印出最精细的线路。这项突破也让ASML的合作伙伴蔡司(ZEISS)在High NA EUV微影设备上的创新光学设计获得验证。

英特尔强调,在研发人员初步校准该设备机台的光学组件、传感器和平台后,High NA EUV已打印出突破性的图像,为完整运行奠定基石。ASML通过全领域光学微影系统打印出的10纳米高密度线路,为布局商用High NA EUV机台迈出关键下一步。另外,当High NA EUV微影设备与英特尔芯片代工服务的其他领先制程技术相结合时,打印尺寸预计将比现有EUV机台缩小1.7倍。也由于2D尺寸缩小,密度将提高2.9倍。英特尔将持续引领半导体产业发展更小、更密集的图案化(pattterning)技术,进一步延伸摩尔定律。

事实上,相较于0.33数值孔径的EUV微影设备,高数值孔径EUV微影设备(或0.55数值孔径的EUV微影设备) 可为类似的芯片尺寸提供更高的成像对比度,可减少每次曝光所需的进光量,并缩短每层打印时间,进而提高芯片厂的产能。

英特尔进一步强调,TWINSCAN EXE:5000系统的总重量超过150吨,将先分装于250多个货箱中,并集中装入43个集装箱,集装箱由多架货机运送至西雅图,再利用20辆卡车运输到俄勒冈州。之后,英特尔计划于2025年Intel 18A的产品验证以及未来Intel 14A的量产阶段,采用0.33和0.55数值孔径的EUV微影设备,并结合其他先进的微影制程技术,共同推进先进芯片的开发和制造,借此改善英特尔的先进制程技术成本与性能。


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