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当前位置：IBM提供45nm SOI晶圆代工方案
IBM日前宣布为晶圆代工厂客户提供45nm绝缘体上硅（SOI）技术，包括来自ARM的SOI标准芯片库。IBM在美国的SOI制造产能将得到来自特许半导体45nm SOI工艺产能的补充。
IBM解决方案的项目经理Duncan Needler表示，为代工提供SOI技术主要针对寻求维持高性能并降低功耗的方法的客户。典型的应用包括存储器系统和数字电视用芯片。
IBM展示了一个45nm SOI ASIC（特定用途集成电路）方法，在此采用IBM定义的EDA工具包，IBM完成了大部分逻辑设计的后段、物理执行工作。采用IBM的SOI方案，客户能够使用商业化的IP库和EDA工具。ASIC方法使得客户尽可能地降低芯片尺寸，同时获得预期的成品率。晶圆代工方法提供客户内部设计、成品率提升和封装能力的整套方案。
与IBM 45nm体工艺代工方法相比，SOI工艺更明显地降低了功耗，在散热问题严重的空间有限的系统中，这表现的更加理想。同时，SOI具有更低的软
件差错率和更好的晶体管间绝缘性。
Needler表示，SOI成本正在下降，SOI晶圆价格很大程度上依赖于产量。“SOI产品的成本正在缩减，与体硅工艺成本在一代或两代内将达到一致。”他补充说，“目前SOI晶圆较昂贵，这不是问题，但他们正逐渐稳步下降。”
竞争者一直在争论，SOI的设计复杂性增加了IC设计整体成本。Needler表示，通过ARM的SOI库可以极大地消除设计复杂性，SOI库包括标准芯片和其他宏运算。ARM也在与法国Soitec共同开发IP库。Soitec最近在新加坡新建了一个SOI晶圆厂。
通过使用几家主要供应商的标准EDA工具和ARM库，设计小组能够很快地加速SOI设计技术。IBM为客户提供了3个小时的SOI设计技术培训课程。
IBM经理还讨论了他们的很多客户将跳过45/40nm体硅工艺，而直接进入32nm节点，在32nm上 IBM提供高k/金属栅技术。Needler表示，32nm高k技术很适合需要降低漏电流的应用，而45nm SOI技术提供了可媲美的性能，有源功耗比体硅工艺降低了40%。
Semico Research Corp.管理Joanne Itow表示，“目前为止，两个主要的障碍制约SOI的大规模应用——代工产能和IP库的有效性。”通过合作，ARM和IBM在突破障碍上迈出了第一步，并使得SOI成为网络、存储、通信和消费应用上可行的替代方案。
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