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当前位置：美光闪存技术创新获半导体Insight奖
发布时间：2009-04-17 浏览：4582次
美光科技股份有限公司(Micron)宣布,Semiconductor Insights选择美光公司两项DRAM和NAND创新作为其第八届Insight年度大奖的获胜者。美光公司的32Gb、34纳米的NAND闪存获得“最具创新性工艺技术”奖，其1Gb、50纳米的DDR2获得“最具创新性DRAM技术”奖。
据SI表示，32Gb、34纳米的芯片是业内首个密度最高的单片多层单元(MLC)NAND闪存芯片。由于密度高、尺寸小，此芯片使客户能够轻松地增加许多消费和计算产品(例如数码相机、个人音乐播放器和固态硬盘)的NAND存储容量。32Gb、34纳米的NAND芯片由英特尔和美光公司共同开发，由双方合资成立的NAND闪存公司IM Flash Technologies制造。
1Gb、50纳米的DDR2芯片尺寸仅为41平方毫米，为客户提供目前市面上最小的DRAM核心尺寸。在分析产品之后，SI注意到本产品具有他们迄今分析过的最先进的DRAM工艺技术。50纳米、1Gb的DDR2由DRAM与南亚科技股份有限公司通过DRAM联合开发项目共同开发。
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