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ES632FLST 锁存霍尔ICES632F是一款基于混合信号CMOS技术的双极锁存型霍尔效应传感器，器件内部集成了电压调节器、带动态偏置补偿系统的霍尔传感器、施密特触发器和一个内带上拉电阻的输出驱动，这些都在一个封装里。
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ES513LT 双极锁存霍尔ICES513是基于双极半导体(Bipolar)工艺设计和生产的霍尔效应传感器开关电路。器件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、反向电压保护器、信号放大处理电路、施密特触发器和一个开集电极输出驱动三极管。
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ES41FUA 双极锁存霍尔ICES41F是专为直流无刷电机设计的双级霍尔开关电路，响应速度快，灵敏度高，具有较高的工作温度范围及可靠性。
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ES40AUA 双极霍尔ICES40A为双极型霍尔开关电路，响应速度快，灵敏度高，具有较高的工作温度范围及可靠性。它由反向电压保护器、电压调整器、霍尔电压发生器、信号放大器、史密特触发器和集电极开路的输出级组成。工作温度范围为-40℃～125℃，耐压60V，可适用于各种电机及机电一体化领域。
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ES1222LUA 锁存霍尔ICES1222，高可靠性高灵敏度霍尔锁存器，2.8-24V
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ES1222LSO 锁存霍尔ICES1222是一款基于BCD技术的双极锁存型霍尔效应传感器，器件内部集成了反向保护电路、电压调节器、带动态偏置补偿系统的霍尔传感器、施密特触发器和一个带电流钳位功能的开漏极输出驱动。
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ES1221LUA 锁存霍尔ICES1221，高可靠性霍尔锁存器，2.8-24V
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ES1221LSO 锁存霍尔ICES1221是一款基于BCD技术的双极锁存型霍尔效应传感器，器件内部集成了反向保护电路、电压调节器、带动态偏置补偿系统的霍尔传感器、施密特触发器和一个带电流钳位功能的开漏极输出驱动。
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浅析工业支柱之传感器技术传感器技术与通信技术、计算机技术并称现代信息产业的三大支柱，是当代科学技术发展的重要标志之一。
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扫盲：浅析单晶硅与多晶硅有何区别？
光伏组件（俗称光伏板、太阳能板）主要包括多晶硅组件和单晶硅组件。
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ES1220LUA 锁存霍尔ICES1220，高可靠性高灵敏度霍尔锁存器，2.8-24V
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ES1220LSO 锁存霍尔ICES1220是一款基于BCD技术的双极锁存型霍尔效应传感器，器件内部集成了反向保护电路、电压调节器、带动态偏置补偿系统的霍尔传感器、施密特触发器和一个带电流钳位功能的开漏极输出驱动。
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ES253UA 全极霍尔ICES253，CMOS全极型高灵敏度霍尔开关，2.5-5.5V
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ES253SO 全极霍尔ICES253是一款基于混合信号CMOS技术的全极型霍尔效应传感器，这款IC采用了先进的斩稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。
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ES245LUA 全极霍尔ICES245，CMOS全极性高灵敏度霍尔锁存器，2.8-24V
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ES245LSO 全极霍尔ICES245是一款基于混合信号CMOS技术的全极型霍尔效应传感器，这款IC采用了先进的斩稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。
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ES583LUA 单极霍尔ICES583，低灵敏度单极霍尔集成电路，3.5-24V
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ES583LSO 单极霍尔ICES583是一款基于混合信号CMOS技术的单极锁存型霍尔效应传感器，器件内部集成了电压调节器、带动态偏置补偿系统的霍尔传感器、施密特触发器和一个开漏极输出驱动，这些都在一个封装里。
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ES582LUA 单极霍尔IC中灵敏度单极霍尔集成电路，3.5-24V
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ES582LSO 单极霍尔ICES582是一款基于混合信号CMOS技术的单极锁存型霍尔效应传感器，器件内部集成了电压调节器、带动态偏置补偿系统的霍尔传感器、施密特触发器和一个开漏极输出驱动，这些都在一个封装里。
