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SS579双极锁存霍尔ICSS579是一个采用CMOS技术制造的锁存型霍尔效应传感器IC。
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SS732双极锁存霍尔ICSS732是一个采用CMOS技术制造的锁存型霍尔效应传感器IC。
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SS539双极锁存霍尔IC霍尔ICSS539是一个采用双极晶体管技术制造的锁存型霍尔效应传感器IC。
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SS2881双极锁存霍尔ICSS2881是一个采用CMOS技术制造的锁存型霍尔效应传感器IC。
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SS559 双极锁存霍尔ICSS559是一个采用CMOS技术制造的锁存型霍尔效应传感器IC。
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US1881双极锁存霍尔开关Melexis（迈莱芯）的US1881是一款基于CMOS技术的混合信号双极锁存霍尔，US1881是集成了电压调节器，动态偏差补偿系统的霍尔传感器，施密特触发器和开漏输出驱动于一个封装内，US1881的工作电压范围和扩展的温度范围，使得它非常适合于汽车电子，工业和消费电子的应用范畴。
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SS2015双极锁存霍尔ICSS2015是一个采用双极晶体管技术制造的锁存型霍尔效应传感器IC。
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SS361CT高灵敏度霍尔效应数字式位置传感器SS361CT 和 SS461C 锁存器是小型、灵敏、多功能的数字霍尔效应传感器，由永磁体或者电磁体所提供的磁场进行工作。他们可对变换的南北极作出响应。
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SS361RT双极锁存霍尔效应数字式位置传感器SS361RT传感器是小型多功能的数字霍尔效应元件，由永磁体或者电磁体所提供的磁场进行工作，可以对交替的北磁极和南磁极作出响应。
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SS542双极锁存型霍尔ICSS542是一个采用混合信号CMOS技术制造的锁存型霍尔效应传感器IC。 它采用先进的斩波稳定技术，从而可以提供准确而稳定的磁开关点。
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SS41F双极锁存型霍尔ICSS41F是一个采用双极晶体管技术制造的锁存型霍尔效应传感器IC。
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SS2609双极锁存霍尔ICSS2609是一个采用混合信号CMOS技术制造的锁存型霍尔效应传感器IC。 它采用先进的斩波稳定技术，从而可以提供准确而稳定的磁开关点。
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SS2413双极锁存霍尔ICSS2413是一个采用改进型CMOS技术制造的锁存型霍尔效应传感器IC。
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SS2712双极锁存霍尔ICSS2712是一个采用CMOS技术制造的锁存型霍尔效应传感器IC。
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SS2019双极锁存霍尔ICSS2019是一个采用双极晶体管技术制造的锁存型霍尔效应传感器IC。
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SS2309双极锁存霍尔ICSS2309是一个采用CMOS技术制造的锁存型霍尔效应传感器IC。
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SS569双极锁存霍尔ICSEC的SS569双极锁存型霍尔效应IC内部采用CMOS工艺，运用先进的斩波稳定放大技术，以提供准确而稳定的磁场开关点。
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SS1881双极锁存霍尔ICSS1881是一个采用CMOS技术制造的锁存型霍尔效应传感器IC。
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SS2509双极锁存霍尔ICSS2509是一个采用CMOS技术制造的锁存型霍尔效应传感器IC。 该器件集成了一个电压调节器、带动态偏移消除系统的霍尔传感器、小信号放大器、施密特触发器和一个带内部上拉电阻的开漏输出驱动器，它可与双极型晶体管电路或CMOS逻辑电路器件协同工作。
