Production:
产品规格
| 绝对最大额定值 (Ta=25ºC) |
| Rated parameters |
Standard value |
Conditions |
| Drain-Source voltage VDSS(V) |
30 |
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| Gate-Source voltage VGSS(V) |
±20 |
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| Drain current(continuous) ID(A) |
±0.1 |
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| Source current(body Di) IS |
- |
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| Total power dissipation PD(W) |
0.2 |
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| Channel temperature Tch(ºC) |
150 |
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| Storage temperature Tstg(ºC) |
-55 to +150 |
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产品概要 :
电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
| 型号 |
厂家 |
批号 |
数量 |
封装 |
包装 |
备注 |
PDF |
| 2SK3018 |
ROHM |
08+ |
9000 |
SOT-23 |
3000 pcs/reel(盘) |
in stock/original(原)/Rohs |
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2SK3018 详细介绍2SK3018 型号 ROHM 品牌系列产品 2SK3018 2SK3018 批号 08+ 2SK3018 数量 9000 2SK3018 封装 SOT-23 2SK3018 包装 3000 pcs/reel(盘) 2SK3018 备注 in stock/original(原)/Rohs 2SK3018 PDF技术资料 2sk3018.pdf
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