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当前位置：TLE4921-3U 详细介绍及参数应用
辐射干扰
这个测试在一个TEM单元内进行，安装有霍尔传感器的印刷电路板进行了优化。从测量结果可以看出在整个频率范围内，在高达160V/m的磁场内TLE 4921-3U的工作不受到影响。
元件参数值
CF=470nF 高通滤波电容
CS=4.7nF 可选的高频旁路电容
R P =0~330Ω 与CP形成电源线上的低通滤波器
CP=4.7nF 防止电导耦合和快速干扰脉冲
R q =33Ω 与Cq用来平滑信号的下降沿
Cq=4.7nF
RL=330Ω 负载电阻
以下是降低辐射干扰的优化措施：
1．接地(GND)：电路板上的基准点是霍尔器件的GND管脚。为了避免传导干扰，到GND管脚的所有连线应该形成星形连接，否则抗干扰电磁的性能将会下降。
2．滤波电容的连接：滤波电容CF和GND管脚之间的连线要尽可能短(最理想的情况是CF的位置紧靠该霍尔器件)，而且要考虑到上面所提的到GND管脚的星形连接结构。否则，建议在CF和TLE 4921-3U之间采用第二个较小的电容(例如82nF)，其目的是缩短在CF和各对应管脚之间的连线。这个措施仅适用于该霍尔器件附近只有很少可用空间的情况。
3．接地屏蔽：建议将该滤波电容的GND连线延伸出去，作为该电容到C管脚连接的一个接地屏蔽。
4．附加的RF旁路：RF旁路电容CS能够进一步提高抗电磁干扰性能。
上面列举的优化步骤的效果(其重要性依次下降)会根据系统的具体特征(传感器、电缆和控制单元)而变化，并不是所有这些措施都需要采用，要根据具体的应用要求来定。
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