N沟 2SK3561 深圳库存 0755-22053656 陈小姐

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发布时间：2009-04-04 浏览：4657次

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI)
2SK3561
2SK3561.pdf

Switching Regulator Applications

   Low drain-source ON resistance: R = 0.75 (typ.)
DS (ON) High forward transfer admittance: |Y | = 6.5S (typ.)
fs
= 100 A (V = 500 V)   Low leakage current: I
DSS DS
= 2.0~4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA)   Enhancement mode: V
th DS D

属性	值	条件
型号	2SK3561
极性	N沟
漏源电压V_DSS	500 V
漏电流I_D	8 A
漏功耗P_D	40 W
门电荷总数Q_g (nC) (标准)	28
漏源导通电阻R_DS(ON) (最大) @V_GS=10V	0.85 Ω
封装	TO-220SIS
产品分类	功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V)

2SK3561 型号
TOSHIBA 品牌系列产品 2SK3561
2SK3561 批号 07+
2SK3561 数量 20000
2SK3561 封装 TO-220F
2SK3561 包装 500PCS/BOX
2SK3561 备注 In stock/ New original packing/ Rohs
2SK3561 PDF技术资料