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当前位置：半导体中的贵族—砷化镓
近年来第三代半导体渐露锋芒，第二代半导体材料砷化镓虽然隐隐暗淡，但凭借耐热、抗辐射、发光效率等优良特性在微电子与光电领域依然被寄予厚望。近期，市场传来新动态：当地时间9月27日，材料、网络和激光器领域垂直整合制造商Coherent宣布出售其位于英国达勒姆郡NewtonAycliffe的化合物半导体制造工厂。该工厂占地310,000平方英尺，位于Aycliffe商业园区。此次交易的购买方为英国政府，收购价格为2700万英镑。该交易旨在确保英国用于军事应用的化合物半导体的供应链。英国国防大臣约翰·希利表示，这项战略投资将确保该工厂在未来能够生产砷化镓半导体以及更强大的半导体。
砷化镓（GaAs）是第二代半导体的代表性化合物，属于IIIA族、VA族化合物半导体材料，因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称。砷化镓具备工作温度高、耐热、抗辐射、发光效率等优秀特性，用于制造微波频率集成电路，单片微波集成电路，红外发光极管，激光二极管，太阳能电池和光学窗口等设备。
其中砷化镓最大应用市场是射频领域，因具有抗干扰、低杂讯与耐高电压、耐高温与高频使用等特性，因此特别适合应用于无线通信中的高频传输领域，现在越来越多被应用于射频前端元件。采用GaAs基板生产的射频（RF）器件广泛应用于无线通信应用，例如无线网络（WLAN）、4G/5G基站、移动通信、卫星和Wi-Fi通信。而随着5G时代的呼吁，GaAs仍将主导智能手机PA （射频功率放大器） 市场，市场对其将有着高度需求。
另外，砷化镓具备高电光转化效率特性，制作出的发光二极管(LED)、激光器(LD)、光探测器等各类光电器件在以背光显示、半导体照明、汽车、智能手机、可穿戴和安防设备等领域都有广泛的应用。
今年，不少国内厂商传来新消息。例如，5月31日，广东先导稀材股份有限公司半导体激光雷达及传感器件产业化项目签约德州天衢新区，总投资50亿元。主要产品为激光雷达及传感器件，而砷化镓正是可以制造出高效的激光发射器的重要材料。项目今年6月底开工建设，预计建设期18个月。8月3日，格创·华芯砷化镓晶圆生产基地进入设备安装阶段，预计年内正式投产。
砷化镓材料是最重要的半导体材料之一，其应用领域不断扩大，产业规模也在急剧扩张，业界认为，砷化镓性能优异，电子迁移率和光电转化效率高，在微电子和光电子领域应用广泛，尤其在5G商用化进程中，将发挥无可替代的作用。市场预期，到2025年，砷化镓规模将有约10%的年复合成长率。
目前砷化镓霍尔已进入批量阶段，详细信息及选型请参见《GaAs砷化镓Insb锑化铟系列产品选型表》。
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