国外集成电路命名方法中 (电路系列缩写符号,分上中下介绍了国外集成电路命名方法)

新闻资讯

\ News

常见问题

国外集成电路命名方法中 (电路系列缩写符号,分上中下介绍了国外集成电路命名方法)

发布时间：2019-09-10 浏览：22899次

缩写字符：MOTA 译名：摩托罗拉公司（美）
器件型号举例说明

MC	1458	P
首标	器件编号	封装
MC：有封装的IC；	1500~1599；	L：陶瓷双列直插（14或16线）；
MCC：IC芯片；	（-55~125）℃军用线性	U：陶瓷封装；
MFC：低价塑封功能电路；	电路；	G：金属壳TO-5型；
MCBC：梁式引线的IC芯片；	1400~1499、3400~3499：	R：金属功率型封装TO-66型；
MCB：扁平封装的梁式引线IC；	（0~70）℃线性电路；	K：金属功率型TO-3封装；
MCCF：倒装的线性电路；	1300~1399、3300~3399：	F：陶瓷扁平封装；
MLM：与NSC线性电路	消费工业线性电路。	T：塑封TO-220型；
引线一致的电路；		P：塑封双列；
MCH：密封的混合电路；		P1：8线性塑封双列直插；
MHP：塑封的混合电路；		P2：14线塑料封双列直插；
MCM：集成存储器；		PQ：参差引线塑封双列
MMS：存储器系统。		（仅消费类器件）封装；
		SOIC：小引线双列封装。
		与封装标志一起的尚有：
		C：表示温度或性能的符号；
		A：表示改进型的符号。

缩写符号：MPS 译名：微功耗系统公司（美）

器件型号举例说明

MP	4136	C	Y
MPS	器件编号	分档和温度范围	D：陶瓷及陶瓷浸渍双列； R：SOIC（8 线）
首标	（用文字和	J、K、L：商用/工业用	N：塑封双列及TO-92； S：SOIC；
	数字表示）	温度；	Y：14线陶瓷双列； L：LCC；
		S、T、U：军用温度。	Z：8线陶瓷双列； G：PGA；
			J：TO-99封装； Q：QFP；
			T：TO-52封装； CHIP：芯片或小片。
			P：8线塑封双列及PLCC；
			K、H、M：TO-100型封装。

同时生产其它厂家相同型号的产品。

缩写字符：NECJ 译名：日本电气公司（日）

NECE 日本电气公司美国电子公司（美）

器件型号举例说明

μP	D	7220	D
NEC首标	系列	器件编号	封装
	A：混合元件；		A：金属壳类似TO-5型封装；
	B：双极数字电路；		B：陶瓷扁平封装；
	C：双极模拟电路；		C：塑封双列；
	D：单极型数字电路		D：陶瓷双列；
	（MOS）。		G：塑封扁平；
			H：塑封单列直插；
			J：塑封类似TO-92型；
			M：芯片载体；
	0		V：立式的双列直插封装；
			L：塑料芯片载体；
			K：陶瓷芯片载体；
			E：陶瓷背的双列直插。

缩写字符：NSC 译名：国家半导体公司（美）

器件型号举例说明

LM	101A	F
系列	器件编号	封装
AD：模拟对数字；	（用3、4或5位数字符号表示）	D：玻璃/金属双列直插；
AH：模拟混合；	A：表示改进规范的；	F：玻璃/金属扁平；
AM：模拟单片；	C：表示商业用的温度范围。	H：TO-5（TO~99，TO-100，TO-46）；
CD：CMOS数字；	其中线性电路的1－、2－、3－	J：低温玻璃双列直插（黑陶瓷）；
DA：数字对模拟；	表示三种温度，分别为：	K：TO-3（钢的）；
DM：数字单片；	（-55~125）℃	KC：TO-3（铝的）；
LF：线性FET；	（-25~85）℃	N：塑封双列直插；
LH：线性混合；	（0~70）℃。	P：TO-202（D-40，耐热的）；
LM：线性单片；		S："SGS"型功率双列直插；
LP：线性低功耗；		T：TO-220型；
LMC：CMOS线性；		W：低温玻璃扁平封装（黑瓷扁平）；
LX：传感器；		Z：TO-92型；
MM：MOS单片；		E：陶瓷芯片载体；
TBA：线性单片；		Q：塑料芯片载体；
NMC：MOS存储器。		M：小引线封装；
		L：陶瓷芯片载体。
该公司同时生产其它厂家相同型号的产品。

缩写字符：PHIN 译名：菲利浦公司（荷兰）

器件型号举例说明

MA	B	8400	-A	-DP
系列	温度范围	器件	表示两层意义	封装
（用两位符号表示）	A：没规定范围	编号	第一层表示改进型；	（用两位符号表示）
1.数字电路用两	B：（0~70）		第二层表示封装；	第一位表示封装形式：
符号区别系列。	C：（-55~125）		C：圆壳；	C：圆壳封装；
2 .单片电路用两	D：（-25~70）		D：陶瓷双列；	D：双列直插；
符号表示。	E：（-25~85）		F：扁平封装；	E：功率双列（带散热片）；
第一符号：	F：（-40~85）		P：塑料双列；	F：扁平（两边引线）；
S：数字电路；	G：（-55~85）		Q：四列封装；	G：扁平（四边引线）；
T：模拟电路；	如果器件是在别		U：芯片。	K：菱形（TO-3系列）；
U：模拟/数字混合电路。	的温度范围，可			M：多列引线（双、三、四
第二符号：	不标，亦可标"A"			列除外）；
除"H"表示混合电路				Q：四列直插；
外，其它无规定；				R：功率四列（外散热片）；
3.微机电路用两位符号				S：单列直插；
表示。				T：三列直插。
MA：微计算机和CPU；				第二位表示封装材料：
MB：位片式处理器；				C：金属-陶瓷；
MD：存储器有关电路；				G：玻璃-陶瓷（陶瓷浸渍）；
ME：其它有关电路（接				M：金属；
口，时钟，外围控				P：塑料。
制，传感器等）。				（半字符以防与前符号混淆）
该公司同时生产与其它厂家相同型号的产品。

缩写字符：PMI 译名：精密单片公司（美）

器件型号举例说明

DAC	08	E	X
器件系列	器件	电特性等级	封装
ADC：A/D转换器；	编号		H：6线圆壳TO-78；
AMP：测量放大器；			J：8线圆壳TO-99；
BUF：缓冲器（电压跟随器）；			K：10线圆壳TO-100；
CMP：电压比较器；			P：环氧树脂双列直插；
DAC：D/A转换器；			Q：16线陶瓷双列；
DMX：信号分离器；			R：20线陶瓷双列；
FLT：滤波器；			RC：20线芯片载体；
GAP：通用模拟信息处理器；			T：28线陶瓷双列；
JAN：M38510产品；			TC：28线芯片载体；
MAT：对管；			V：24线陶瓷双列；
MLT：乘法器；			X：18线陶瓷双列；
MUX：多路转换器；			Y：14线陶瓷双列；
OP：精密运算放大器；			Z：8线陶瓷双列；
PKD：峰值检波器；			W：40线陶瓷双列；
PM：仿制的工业规范产品；			L：10线密封扁平；
REF：电压基准；			M：14线密封扁平；
RPT：PCM线转发器；			N：24线密封扁平。
SMP：采样/保持放大器；
SLC：用户线接口电路；
SW：模拟开关；
SSS：优良的仿制提高规范产品。
该公司并入ANA公司。

缩写字符：PRSC 译名：特性半导体有限公司

器件型号举例说明

P	74	FCT	XXX	X	X
首标	温度	产品系列	器件	封装	温度范围
P：performance；	74：（0-70）℃；		编号	P：塑料双列；	C：（0-70）℃；
P4C：静态存储器；	54：（-55~125）			J：J型小引线塑料	M：（-55~125）℃；
9：适于特殊SRAM。	℃。			双列（SOJ）；	MB：883C的B级。
				D：陶瓷双列；
				C：侧面铜焊双列；
				L：芯片载体；
				S：小引线塑料双
				列（SOIC）；
				DW：600mil陶瓷
				双列。

缩写符号：QSI 译名：高级半导体公司

器件型号举例说明

QS	8XXX	XXX		XX	X
首标	器件编号	速度		封装	加工
	8XXX：SRAM；	（存取时间）		P：塑料双列；	没标：标准工业用
	7XXX：FIFO。			D：陶瓷双列；	（0-70）℃；
				L：陶瓷芯片载体；	B：883的
				SO：小引线封装双列；	（-55~125）℃；
				Z：塑料单列(双线)(ZIP)；	M：工业用
				Q：四面引线封装(QSOP)；	（-55~125）℃。
				V：(SOJ)J型小引线双列。

QS	XX	FCT	XX	XX	X
首标	温度	系列	器件	封装	加工
	54：（-55~	FCT：快	编号	P：塑料双列；	没标：标准工业用
	125）℃；	捷CMOS；		D：陶瓷双列；	（0~70）℃；
	74：（0~70）℃。	QST：快		L：陶瓷芯片载体；	B：883的
		速开关。		SO：小引线双列封装；	（-55~125）℃；
				Z：塑料ZIP；	M：工业用
				Q：QSOP。	（-55~125）℃。

缩写字符：ZIL 译名：吉劳格公司（美）

器件型号举例说明

Z	8400	B	P	S
首标	器件编号	速度	封装	温度范围
		空白：	C：陶瓷；	E：（-40~85）℃；
		2.5MHz；	D：陶瓷浸渍；	M：（-55~125）℃
		A：4..0MHz；	P：塑料；	S：（0~70）℃。
		B：6.0MHz；	Q：陶瓷四列；
		H：8.0MHz；	R：陶瓷背的。
		L：低功耗的。

缩写字符：RCA 译名：美国无线电公司（现为GE－RCA公司）

器件型号举例说明

CD	4070A	D
类型	器件编号	封装
CA：线性电路；	A：改型，代替原型；	D：陶瓷双列（多层陶瓷）；
CD：CMOS数字电路；	B：改型，代替A或	E：塑料双列；
COM：CMOS LSI；	原型；	EM：变形的塑料双列（有散热板）；
COP：CMOS LSI；	C：改型；	F：陶瓷双列，烧接密封；
CMM：CMOS LSI；	UB：不带缓冲。	H：芯片；
MWS：CMOS LSI；		J：三层陶瓷芯片载体；
LM：线性电路；		K：陶瓷扁平封装；
PA：门阵。		L：单层陶瓷芯片载体；
		M：TO-220封装（有散热板）；
		P：有散热板的塑料双列封装；
		Q：四列塑料封装；
		QM：变形的四列封装
		S：TO-5封装（双列型）；
		T：TO-5封装（标准型）；
		V1：TO-5封装（射线型引线）；
		W：参差四列塑料封装。
该公司并入Harris公司。

缩写符号：SGL 译名：硅通用公司（美）

器件型号举例说明

SG	108	A	T
SGL	器件编号	说明	封装
首标		A：改进性能；	F：扁平封装；
		C：缩小温度范围。	J：陶瓷双列（14、16、18线）；
			K：菱形TO-3；
			L：芯片载体；
			M：8线小型塑料双列；
			N：塑料双列（14、16线）；
			P：TO-220封装；
			R：TO-66（2线、9线金属壳）；
			T：TO-型（5、39、96、99、100、101型）；
			W：16线带散热片的陶瓷双列；
			Y：8线陶瓷双列；
			S：大于15W的功率封装。

缩写字符：SGSI 译名：意大利国家半导体公司

器件型号举例说明（采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON的符号）

TDA	1200	XX	(X/X)
首标	器件编号	封装及封装材料	质量等级
首位字母表示：		封装：
T：模拟电路；		单字母表示：
U：模拟/数字混合电路；		C：圆壳；
第二位字母表示：		D：双列直插；
没规定含义。		E：功率双列；
双字母表示：		F：扁平封装。
FA~FZ、		两字母表示：
GA~GZ：数字电路，系列有别。		首位（表示封装）：
单字母表示：		C：圆壳；
S：单片数字电路。		D：双列直插；
另外的首标含义：		E：功率双列（带散热板）；
H：高电平逻辑；		F：扁平封装；
HB、HC：CMOSIC；		G：四边引线扁平封装；
L、LS：线性电路；		K：菱形（TO-3型）；
M：MOS电路；		M：多列直插；
TAA、TBA、TCA、TDA：		Q：四列直插；
线性控制电路。		R：功率四列（带散热板）；
第二位字母表示温度范围：		S：单列直插；
A：没规定范围，或非下列温度范围；		T：三列直插。
B：（0~70）℃；		第二位（表示封装材料）；
C：（-55~125）℃；		C：金属-陶瓷；
D：（-25~70）℃；		G：玻璃-陶瓷（双列）；
E：（-25~85）℃；		M：金属；
F：（-40~85）℃；		P：塑料。
G：（-55~85）℃。
该公司与法国THOMSON公司联合组成SGS-THOMSON公司，产品型号有所变化。除采用ST首标外，还生产与别的厂家型号完全相同的产品。

缩写符号：SANYO（TSAJ） 译名：三洋公司（日）

器件型号举例说明

LA	1230
首标	器件编号
LA：双极线性电路；
LB：双极数字电路；
LC：CMOS电路；
LE：MNMOS电路；
LM：PMOS、NMOS电路；
STK：厚腊电路；
LD：薄膜电路。

关闭窗口

上一篇：国外集成电路命名方法上 (电路系列缩写符号,分上中下介绍了国外集成电路命名方法) 2025-12-29

下一篇：国外集成电路命名方法下 (电路系列缩写符号,分上中下介绍了国外集成电路命名方法) 2025-12-29

新闻资讯

常见问题

国外集成电路命名方法中 (电路系列缩写符号,分上中下介绍了国外集成电路命名方法)

关于响拇指

产品与方案

技术支持

购买方式

咨询热线

友情链接:

新闻资讯

常见问题

国外集成电路命名方法 中 (电路系列缩写符号,分上中下介绍了国外集成电路命名方法)

关于响拇指

产品与方案

技术支持

购买方式

咨询热线

友情链接:

国外集成电路命名方法中 (电路系列缩写符号,分上中下介绍了国外集成电路命名方法)