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当前位置：富士通宣布批量生产2Mbit高速FRAM铁电存储器(图)
FRAM的高速数据写入和大量可用写周期使得其可以作在办公设备中存储计数或参数、记录各种事项之用。FRAM有100亿个读/写周期，这相当于以每秒写入30次的速率连续写入10年。FRAM还可以在不使用电池的情况下存储数据达10年以上。在如应用于仪表等设备的过程中，富士通FRAM写机制确保即使在临时中断电源时，也可将数据高速写入FRAM，因此不致丢失有用数据。 MB85R2001的配置是256 K字 x 8位；MB85R2002的配置是128K字 x 16位。这两种类型的读访问周期均为100纳秒（ns），读/写周期为 150ns。 操作电压为3-3.6V。 富士通微电子（上海）有限公司系统LSI产品市场部副总监郑国威先生表示：“FRAM技术非常适用于要求大量写周期、低功耗和高速数据写入的设备。这些新FRAM改进了功能，能提供更大的存储容量，以满足新型汽车、仪表及其它高级设计的要求。新型FRAM还具备富士通 1MbitFRAM的电气特性，只需附加连接一个地址即可轻易移植到更高容量的版本。” 富士通是FRAM开发的先驱，从1999年开始批量生产，已经在世界各地销售5亿多的芯片，其中包括离散存储芯片和带嵌入式FRAM存储器的芯片。由于对FRAM存储器的需求量不断增长，富士通决定将存储容量翻倍，开发并生产了MV85R2001和MB85R2002。与电池供电的静态随机存取存储器（SRAM）相比，FRAM无需使用电池，简化了生产工艺，免除了使用富士通FRAM时电池更换和产品维护的难题。与富士通的所有其它FRAM产品类似，MB85R2001和MB85R2002减少了材料的浪费，有利于环境保护。 新型2Mbit FRAM产品具有与当前生产的富士通1Mbit FRAM产品（MB85R1001和MB85R1002）相同的电气特性和TSOP-48数据包。只需附加连接一个地址，即可移植到2Mbit产品上。因此，在同一个印刷电路板上，根据所需的存储容量，我们可以选择使用1Mbit或2Mbit的 FRAM。 | |
| 文章作者：富士通微电子（上海）有限公司 |
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