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半导体芯片制造中的BPSG是什么？
简要描述：
硼磷硅玻璃（boro-phospho-silicate-glass，BPSG）是一种掺硼的SiO2玻璃。可采用CVD方法（SiH4+O2+PH3+B2H6，400oC~450oC）来制备。BPSG与PSG（磷硅玻璃）一样，在高温下的流动性较好，广泛用作为半导体芯片表面平坦性好的层间绝缘膜。
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产品概述：
硼磷硅玻璃（boro-phospho-silicate-glass，BPSG）是一种掺硼的SiO2玻璃。可采用CVD方法（SiH4+O2+PH3+B2H6，400oC~450oC）来制备。BPSG与PSG（磷硅玻璃）一样，在高温下的流动性较好，广泛用作为半导体芯片表面平坦性好的层间绝缘膜。
PSG要求的回流温度很高大约1100℃，高温处理容易引起杂质浓度再扩散和硅片变形，以往PSG增加P的含量可以降低回流温度，但是P的含量增加会影响膜的稳定性和可靠性。
因此出现了掺B的BPSG来代替PSG，其中B的作用是降低回流温度，P主要是起抗离子的作用（主要是Na离子）。回流温度随B的增加而下降。但B的含量增加使抗潮能力减弱，因此B的含量要适当。一般BPSG中，B和P各占4%。回流温度降到了800~950℃，由于P含量的降低可减小PSG膜中吸潮后生成H3PO4对Al的腐蚀，又改善了台阶梯度。
每增加1% 的B 可以降低回流温度20-35度在现代IC工业中，应用到CMP，所以PSG在一些工艺中取代了BPSG, 克服B析出的问题。
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